중국 메모리 반도체 기업들의 생산능력 확대가 장기적으로 삼성전자와 SK하이닉스에 상당한 압박으로 작용할 수 있다는 전망이 나온다.

중국의 D램 제조업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 지난 28일 올해 상반기 매출이 1503억 위안(약 223억6000만 달러)을 기록했다고 밝혔다. 이는 전년 동기 대비 874% 증가한 규모로, 지난해 연간 매출의 두 배를 넘어섰다.

같은 기간 순이익도 지난해 상반기 적자에서 올해 상반기 776억 위안(약 115억 달러)의 흑자로 전환했다.

최근 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 인공지능(AI) 투자 확대에 따른 수요에 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM)와 첨단 D램에 생산 역량을 집중하고 있는 가운데, CXMT는 오히려 범용 D램의 심각한 공급 부족에 따른 수혜를 받고 있다.

이에 따라 CXMT는 상대적으로 구형 공정에 해당하는 메모리 반도체를 과거보다 훨씬 높은 가격에 판매할 수 있게 됐다.

낸드플래시 시장에서도 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 빠르게 점유율을 확대하며 삼성전자와 SK하이닉스와의 격차를 좁히고 있다.

기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 크게 증가한 것이 주요 배경이다. AI 데이터센터에 대한 투자가 빠르게 확대되면서 기업용 SSD 시장 역시 성장세를 이어가고 있다.

과거 범용 메모리 제품에 주력했던 중국 메모리 업체들은 최근 시장 호황으로 확보한 대규모 현금흐름과 증시를 통해 조달한 자금을 바탕으로 생산능력을 확대하는 한편, 첨단 메모리 기술 개발에도 속도를 내고 있다.

이에 대해 한국 조선일보는 중국 메모리 기업들이 조만간 고부가가치 메모리 시장에서 한국 기업들의 지배적 지위에 도전할 수 있다는 우려가 커지고 있다고 분석했다.

CXMT는 현재 중국 내에서 3개의 D램 생산공장을 가동하고 있으며, 추가로 3개 공장을 건설할 계획이다. 계획이 예정대로 진행될 경우 웨이퍼 기준 생산능력은 현재 월 30만 장 수준에서 2030년 60만 장 이상으로 확대될 전망이다.

이 같은 생산능력을 확보할 경우 지난해 약 8%였던 CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율은 2028년 11%, 2030년 15%까지 높아질 수 있다. 이 경우 오랫동안 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주도해온 D램 시장의 경쟁 구도에도 상당한 변화가 발생할 수 있다.

CXMT의 기술력 역시 빠르게 향상되고 있다. CXMT는 지난 29일 중국 소셜미디어 웨이보를 통해 차세대 저전력 모바일 D램인 ‘LPDDR6’의 양산을 시작했다고 밝혔다.

LPDDR6는 스마트폰과 AI 서버 등에 사용되는 6세대 저전력 D램 규격이다. 삼성전자와 SK하이닉스 역시 올해 말부터 이 제품의 양산에 들어갈 것으로 예상된다.

CXMT는 중국 AI 가속기용 HBM 개발에도 나서고 있다. 텐센트, 바이트댄스, 알리바바 등 대규모 AI 투자를 진행하고 있는 중국 IT 기업들이 잠재적 고객으로 거론되는 만큼, 첨단 메모리 기술 개발이 완료될 경우 대규모 테스트와 판매로 빠르게 이어질 가능성이 있다는 분석이다.

낸드플래시 분야에서 YMTC의 추격 속도는 더욱 빠르다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 YMTC는 올해 2분기 글로벌 낸드 시장에서 약 14%의 점유율을 기록했다. 이는 일본 키옥시아를 처음으로 제치고 세계 3위에 오른 것이다.

삼성전자의 25%, SK하이닉스의 22%에는 여전히 뒤처져 있지만, YMTC는 최근 기업공개(IPO)를 준비하는 과정에서 내년 말까지 시장 점유율에서 두 한국 기업을 모두 추월하겠다는 목표를 제시한 것으로 알려졌다.

이를 실현하려면 YMTC는 불과 1년 만에 출하량을 거의 두 배 수준으로 늘려 삼성전자와 비슷한 규모의 생산·출하 능력을 확보해야 한다.

다만 일부 분석가들은 단기적으로 중국 기업들이 HBM과 같은 첨단 메모리 분야에서 한국 기업을 따라잡기는 여전히 쉽지 않을 것으로 보고 있다.

CXMT는 극자외선(EUV) 노광장비를 비롯한 첨단 반도체 제조장비의 수입 제한을 받고 있다. 현재 CXMT는 첨단 D램 생산에 EUV보다 한 세대 낮은 기술인 심자외선(DUV) 장비를 사용하고 있는 것으로 알려졌다.

DUV 장비를 사용하면 제조 공정이 더욱 복잡해질 뿐 아니라 생산비용과 수율 측면에서도 불리할 수 있다.

특히 HBM 생산에는 일반적인 D램 제조보다 높은 수준의 기술력이 요구된다. 실리콘을 수직으로 관통하는 미세한 구멍을 만드는 TSV(실리콘 관통전극) 기술을 비롯해 고도화된 패키징 기술 등이 필수적이기 때문이다.

결국 중국 메모리 기업들의 빠른 성장은 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 한국 메모리 업계에 분명한 압박 요인으로 작용하고 있다.

다만 첨단 메모리 제품에서 필요한 제조장비 확보와 높은 수율을 동시에 달성해야 한다는 점을 고려하면, 중국 기업들이 한국 기업을 실질적으로 추월하기까지는 상당한 시간이 더 필요할 것이라는 분석이 나온다.

※ 본 콘텐츠는 인공지능(AI) 기술을 활용해 번역되었으며, 베트남인 편집자의 편집 및 검수를 거쳤습니다.

내용 책임자: 프엉동(Phương Đông) – 행사·홍보위원 – 광주·전남 베트남교민회